واژه ی IGBT مخفف عبارت انگلیسی Insulated Gate Bipolar Transistor می باشد که به معنی ” ترانزیستور دو قطبی با دروازه عایق بندی شده ” است این وسیله، قطعه ای نیمه هادی است که دارای سه ترمینال بوده که از ترکیب یک ماسفت کانال N با گیت ایزوله شده در ورودی و یک ترانزیستور دو قطبی PNP در خروجی ساخته می‌شود که مدار دارلینگتون را تشکیل داده‌اند.بنابراین پایه‌های IGBT شامل کلکتور Collector، امیترEmitter و گیت Gate می باشد که دو تا از این پایه‌ها C و E متناظر با مسیر هدایت هستند که جریان از آن‌ها می‌گذرد و پایه سوم G نیز قطعه را کنترل می‌کند.در واقع یکی از مهمترین مبدل های نیمه هادی قدرت از چند صد وات تا ۲ مگاوات است که ترکیبی از مزایای ترانزیستور اثر میدان MOSFET و ترانزیستور پیوندی دو قطبی ( BJT ) است. در واقع IGBT ها در دستگاه‌های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می‌شود و به طور متداول در الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدل ها، ترانسهای جوش و UPS و همچنین در منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفت ها و BJTها در آن جا نمی توانند کارایی لازم را داشته باشند، مورد استفاده قرار می گیرند. این سوئیچ الکترونیکی در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال‌ها، تردمیل، دستگاه‌های تهویه مطبوع و حتی سیستم‌های استریو و تقویت کننده‌ها نیز کاربرد دارد.
کاربرد آی جی بی تی:- سوئیچینگ الکترونیکی
- تعویض سرعت بالا
- مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک
- امکان تغییر فرکانس بالا، با استفاده از IGBT امکان پذیر است.
مزایای استفاده از ترانزیستور های IGBT نسبت به انواع دیگر ترانزیستور ها عبارتند از:
- توان ولتاژ بالا
- مقاومت کم ON
- هدایت شوندگی ساده
- سرعت سوئیچینگ نسبتا سریع
